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BSC050N03LS G

更新时间： 2024-09-26 11:15:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		通信电池栅数据通信服务器电脑栅极调节器
页数	文件大小	规格书
10页	522K
描述
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6）

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BSC050N03LS G 数据手册

BSC050N03LS G

OptiMOS™3 Power-MOSFET

Features

Product Summary

V_DS

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for DC/DC converters

R_DS(on),max

I_D

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

PG-TDSON-8

• N-channel; Logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Superior thermal resistance

• Avalanche rated

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC050N03LS G

PG-TDSON-8

050N03LS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

V _GS=10 V, T _C=25 °C

V _GS=10 V, T _C=100 °C

Continuous drain current

V _GS=4.5 V, T _C=25 °C

V _GS=4.5 V,

T _C=100 °C

V _GS=10 V, T _A=25 °C,

R _thJA=50 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

320

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Avalanche energy, single pulse

T _C=25 °C

E _AS

I _D=40 A, R _GS=25 W

I _D=50 A, V _DS=24 V,

di /dt =200 A/µs,

T _j,max=150 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

Gate source voltage

¹⁾J-STD20 and JESD22

±20

Rev. 2.1

page 1

2013-05-17

12 3 4 5 6 7...10

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BSC050N03LS G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSC050N03LSGATMA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与BSC050N03LS G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC050N03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET
BSC050N03LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC050N03LSGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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BSC050N03MSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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