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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.22 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 7 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0047 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 288 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC0504NSI_15 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSC0504NSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
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| BSC050N03LSG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET |
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| BSC050N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N03LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSC050N03MSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSC050N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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