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BSC046N02KSGAUMA1

更新时间： 2024-09-25 15:46:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 667K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 20V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC046N02KSGAUMA1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：1.68Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：151 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.0046 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC046N02KSGAUMA1 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC047N08NS3 G INFINEON

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 		OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
BSC047N08NS3G INFINEON

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 		OptiMOS3 Power-Transistor
BSC047N08NS3GATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 80V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC048N025S INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
BSC048N025SG INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
BSC048N025SG_09 INFINEON

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 		OptiMOS2 Power-Transistor
BSC049N03MSCG INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC049N03MSCGATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC0500NSI INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSC0500NSI_15 INFINEON

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 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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