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BSC042NE7NS3G

更新时间: 2024-09-25 06:44:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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9页 322K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

BSC042NE7NS3G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TDSON-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.65
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):220 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:75 V最大漏极电流 (ID):100 A
最大漏源导通电阻:0.0042 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC042NE7NS3G 数据手册

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BSC042NE7NS3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
75  
4.2  
100  
V
• Optimized technology for synchronous rectification  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• Ideal for high frequency switching and DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Superior thermal resistance  
• N-channel, normal level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
BSC042NE7NS3 G  
Package  
Marking  
PG-TDSON-8  
042NE7NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
100  
83  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
19  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
400  
220  
±20  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
1) J-STD20 and JESD22  
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
3) See figure 3 for more detailed information  
4) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.21  
page 1  
2009-11-11  

BSC042NE7NS3G 替代型号

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