是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | TDSON-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.65 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 220 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 75 V | 最大漏极电流 (ID): | 100 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0042 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSB044N08NN3G | INFINEON |
类似代替 |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
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BSC048N025SG | INFINEON |
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