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BSC0502NSI_15

更新时间： 2024-11-14 01:23:31

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13页	1586K
描述
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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BSC0502NSI_15 数据手册

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

OptiMOS^TM

OptiMOS^TM5ꢀPower-MOSFET,ꢀ30ꢀV

BSC0502NSI

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.0

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC0502NSIATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC0503NSI	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSC0503NSI_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSC0503NSIATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC0504NSI	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSC0504NSI_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
BSC0504NSIATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC050N03LS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
BSC050N03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET
BSC050N03LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me