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BSC047N08NS3GATMA1

更新时间： 2024-09-25 19:50:59

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	298K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 80V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-8

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BSC047N08NS3GATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	1.65	雪崩能效等级（Eas）：	310 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.0047 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSC047N08NS3GATMA1 数据手册

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BSC047N08NS3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

4.7

100

• Ideal for high frequency switching and sync. rec.

• Optimized technology for DC/DC converters

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R_DS(on)

R_DS(on),max

I_D

mΩ

• Superior thermal resistance

• N-channel, normal level

• 100% avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

BSC047N08NS3 G

Package

Marking

PG-TDSON-8

047N08NS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

100

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

V _GS=10 V, T _C=25 °C

_GS=10 V, T _C=100 °C

Continuous drain current

V _GS=10 V, T _A=25 °C,

_thJA=50 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

400

310

±20

Avalanche energy, single pulse⁴⁾

Gate source voltage

I _D=50 A, R _GS=25 Ω

V _GS

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

³⁾See figure 3 for more detailed information

⁴⁾See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.7

page 1

2012-04-04

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSC048N025SG_09	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
BSC049N03MSCG	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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