5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 14 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC0502NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| BSC0502NSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC0503NSI | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| BSC0503NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| BSC0503NSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC0504NSI | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| BSC0504NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| BSC0504NSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC050N03LS G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
|
| BSC050N03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
