5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BSC042N03LSGATMA1
BSC042N03LSGATMA1 PDF预览

BSC042N03LSGATMA1

更新时间： 2024-11-05 20:06:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 468K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSC042N03LSGATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.64其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：50 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.0065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：372 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC042N03LSGATMA1 数据手册

 浏览型号BSC042N03LSGATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC042N03LSGATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC042N03LSGATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC042N03LSGATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC042N03LSGATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC042N03LSGATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
BSC042N03LS G  
OptiMOS™3 Power-MOSFET  
Features  
Product Summary  
VDS  
30  
4.2  
93  
V
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
PG-TDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC042N03LS G  
PG-TDSON-8  
042N03LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
93  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
A
59  
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
75  
48  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
20  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
372  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
T C=25 °C  
E AS  
I D=40 A, R GS=25 W  
50  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=150 °C  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 2.1  
page 1  
2013-05-21  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

BSC042N03LSGATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD16404Q5A TI

功能相似

 N-Channel NexFET? Power MOSFET
FDMS7670 FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 3.8 mΩ

与BSC042N03LSGATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC042N03MS G INFINEON

获取价格

 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
BSC042N03MSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSC042N03MSG ADI

获取价格

 		Synchronous Buck Controller
BSC042N03MSGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC042N03MSGXT INFINEON

获取价格

 		暂无描述
BSC042N03S INFINEON

获取价格

 		OptiMOS2 Power-Transistor
BSC042N03SG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC042N03SGXT INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC042NE7NS3 G INFINEON

获取价格

 		75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具
BSC042NE7NS3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor

与BSC042N03LSGATMA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证