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BSC034N03LSGATMA1

更新时间： 2024-09-25 19:55:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	614K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC034N03LSGATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.63
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	55 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.0051 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-N5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSC034N03LSGATMA1 数据手册

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BSC034N03LS G

OptiMOS™3 Power-MOSFET

Product Summary

Features

V_DS

3.4

100

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for DC/DC converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

R_DS(on),max

I_D

PG-TDSON-8

• N-channel; Logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Superior thermal resistance

• Avalanche rated

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC034N03LSC G

PG-TDSON-8

034N03LS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

100

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

V _GS=10 V, T _C=25 °C

V _GS=10 V, T _C=100 °C

Continuous drain current

V _GS=4.5 V, T _C=25 °C

V _GS=4.5 V,

T _C=100 °C

V _GS=10 V, T _A=25 °C,

R _thJA=50 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

400

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

T _C=25 °C

E _AS

V _GS

I _D=50 A, R _GS=25 W

±20

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 1.4

page 1

2013-10-04

12 3 4 5 6 7...10

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与BSC034N03LSGATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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