Datasheet > BSC035N10NS5ATMA1

BSC035N10NS5ATMA1

更新时间： 2024-09-25 15:45:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1095K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TDSON-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSC035N10NS5ATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	26 weeks	风险等级：	1.68
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSC035N10NS5ATMA1 数据手册

浏览型号BSC035N10NS5ATMA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号BSC035N10NS5ATMA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号BSC035N10NS5ATMA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号BSC035N10NS5ATMA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号BSC035N10NS5ATMA1的Datasheet PDF文件第6页

BSC035N10NS5

MOSFET

OptiMOS^TMꢀꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

SuperSO8

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀrec.

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

S 1

8 D

7 D

Parameter

Value

100

3.5

Unit

S 2

S 3

G 4

V_DS

R_DS(on),max

I_D

mΩ

6 D

5 D

100

Q_oss

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

BSC035N10NS5

PG-TDSON-8

035N10NS

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2016-09-07

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与BSC035N10NS5ATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC036NE7NS3 G	INFINEON	获取价格	75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具
BSC037N025S	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
BSC037N025SG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
BSC037N025SG_09	INFINEON	获取价格	OptiMOS?2 Power-Transistor
BSC037N03LSCG	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC037N03LSCGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC037N03MSCG	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC037N03MSCGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC037N08NS5	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi
BSC037N08NS5T	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与BSC035N10NS5ATMA1相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

14
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

81
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

72

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSC035N10NS5ATMA1

BSC035N10NS5ATMA1 技术参数

BSC035N10NS5ATMA1 数据手册

与BSC035N10NS5ATMA1相关器件

与BSC035N10NS5ATMA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSC035N10NS5ATMA1

BSC035N10NS5ATMA1 技术参数

BSC035N10NS5ATMA1 数据手册

与BSC035N10NS5ATMA1相关器件

与BSC035N10NS5ATMA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？