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BSC035N10NS5ATMA1

更新时间： 2024-11-05 15:45:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1095K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TDSON-8

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BSC035N10NS5ATMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：1.68
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.0035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC035N10NS5ATMA1 数据手册

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BSC035N10NS5  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀꢀ5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
SuperSO8  
5
8
6
7
7
Features  
6
5
8
•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀrec.  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance  
•ꢀN-channel  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
4
3
1
2
2
3
1
4
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
S 1  
8 D  
7 D  
Parameter  
Value  
100  
3.5  
Unit  
S 2  
S 3  
G 4  
VDS  
V
RDS(on),max  
ID  
mΩ  
A
6 D  
5 D  
100  
91  
Qoss  
nC  
nC  
QG(0V..10V)  
70  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
BSC035N10NS5  
PG-TDSON-8  
035N10NS  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2016-09-07  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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