5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 英飞凌 - INFINEON |  |
开关脉冲光电二极管晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 12页 | 1466K |  |
| 描述 | ||
| Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET devices in 80 V and 100 V are designed for synchronous rectification in telecom and server power supply application, but also the ideal choice for other applications such as solar, low voltage drives and laptop adapter. | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC035N10NS5ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| BSC036NE7NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具 |
|
| BSC037N025S | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| BSC037N025SG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| BSC037N025SG_09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?2 Power-Transistor |
|
| BSC037N03LSCG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC037N03LSCGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC037N03MSCG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC037N03MSCGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC037N08NS5 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
