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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC031N06NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC032N03S | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| BSC032N03S_09 | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC032N03SG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC032N03SGAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC032N03SGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC032N04LS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC032NE2LS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSC033N08NS5SC | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 power MOSFETs 80 V in SuperSO8 DSC |
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| BSC034N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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