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BSC032N03SGAUMA1

更新时间： 2024-11-05 14:50:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	632K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC032N03SGAUMA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	550 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	23 A
最大漏源导通电阻：	0.0049 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSC032N03SGAUMA1 数据手册

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与BSC032N03SGAUMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC032N03SGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC032N04LS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC032NE2LS	INFINEON	获取价格	n-Channel Power MOSFET
BSC033N08NS5SC	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 5 power MOSFETs 80 V in SuperSO8 DSC
BSC034N03LS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
BSC034N03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-MOSFET
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