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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 2.25 |
| Samacsys Description： | MOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS | 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 84 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0048 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 37 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 336 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC033N08NS5SC | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 power MOSFETs 80 V in SuperSO8 DSC |
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| BSC034N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSC034N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET |
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| BSC034N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC034N03LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC034N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如 |
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| BSC034N10LS5 | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通 |
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| BSC035N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSC035N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC035N04LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 40V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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