是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 0.89 |
Samacsys Description: | MOSFET TRENCH <= 40V | 雪崩能效等级(Eas): | 30 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (ID): | 21 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0044 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 392 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC032NE2LS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET | |
BSC033N08NS5SC | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 power MOSFETs 80 V in SuperSO8 DSC | |
BSC034N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS? 25V 成 | |
BSC034N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET | |
BSC034N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC034N03LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC034N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化,例如 | |
BSC034N10LS5 | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷,可在不影响导通 | |
BSC035N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 | |
BSC035N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |