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BSC030N03LSG

更新时间： 2024-09-25 06:44:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
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描述
OptiMOS™3 Power-MOSFET

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BSC030N03LSG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	23 A
最大漏源导通电阻：	0.0047 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	69 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSC030N03LSG 数据手册

BSC030N03LS G

OptiMOS™3 Power-MOSFET

Features

Product Summary

V _DS

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for DC/DC converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

100

PG-TDSON-8

• N-channel; Logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Superior thermal resistance

• Avalanche rated

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC030N03LS G

PG-TDSON-8

030N03LS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

_GS=10 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

100

_GS=10 V, T _C=100 °C

_GS=4.5 V, T _C=25 °C

_GS=4.5 V,

T _C=100 °C

_GS=10 V, T _A=25 °C,

_thJA=50 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

400

Avalanche current, single pulse⁴⁾

T _C=25 °C

E _AS

I _D=50 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=24 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=150 °C

V _GS

Gate source voltage

¹⁾J-STD20 and JESD22

±20

Rev. 1.27

page 1

2009-10-22

12 3 4 5 6 7...10

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BSC030N03LSG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSC883N03LSG	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC020N03LSG	INFINEON	类似代替	OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET

与BSC030N03LSG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSC030N03MSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET
BSC030N03MSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC030N04NS G	INFINEON	获取价格	OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和
BSC030N04NSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
BSC030N04NSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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BSC030N08NS5ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 80V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSC030N10NS5SC	INFINEON	获取价格	OptiMOS? 5?power MOSFETs 100 V in SuperSO8 DSC (dual-side cooling) package offer all therm
BSC030P03NS3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足

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