是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.64 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 75 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 100 A |
最大漏极电流 (ID): | 21 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0038 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 69 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSC060N10NS3G | INFINEON |
完全替代 |
OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC030N03MSGATMA1 | INFINEON |
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BSC030N04NS G | INFINEON |
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BSC030N04NSG | INFINEON |
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BSC030N04NSGATMA1 | INFINEON |
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BSC030N08NS5 | INFINEON |
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BSC030N08NS5ATMA1 | INFINEON |
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BSC030P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor | |
BSC030P03NS3GAUMA1 | INFINEON |
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