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BSC030P03NS3G

更新时间: 2024-09-25 09:00:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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9页 307K
描述
OptiMOS P3 Power-Transistor

BSC030P03NS3G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:1.66
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):345 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):25.4 A最大漏源导通电阻:0.0046 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:3
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSC030P03NS3G 数据手册

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BSC030P03NS3 G  
OptiMOSTM P3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
-30  
3.0  
V
• single P-Channel in SuperSO8  
• Qualified according JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
-100  
V GS=25 V, specially suited for notebook applications  
PG-TDSON-8  
• Pb-free; RoHS compliant  
• ESD > 4 kV  
• applications: battery management, load switching  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Marking  
Lead free  
Halogen free  
Type  
Package  
Packing  
Yes  
030P3NS  
Yes  
dry  
BSC030P03NS3 G PG-TDSON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=70 °C  
T A=25 °C  
T C=25 °C3)  
-100  
-100  
-25.4  
-200  
Continuous drain current  
A
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
I D=-100 A, R GS=25 Ω  
345  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
V GS  
P tot  
±25  
125  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
T C =25 °C  
T A=25 °C2)  
W
2.5  
T j, T stg  
-55 ... 150  
class 3 (> 4KV)  
260 °C  
Operating and storage temperature  
ESD class  
°C  
JESD22-A114 HBM  
Soldering temperature  
55/150/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.1  
page 1  
2009-11-16  

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