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BSC027N10NS5

更新时间： 2024-09-26 11:12:23

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	916K
描述
Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.

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BSC027N10NS5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BSC027N10NS5 数据手册

BSC027N10NS5

MOSFET

OptiMOS^TMꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

PG-TSON-8-3

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀrec.

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

Pin 1

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀ175°Cꢀrated

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

S 1

S 2

S 3

G 4

8 D

7 D

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

6 D

5 D

Parameter

Value

100

2.7

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

mΩ

194

114

Q_oss

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

BSC027N10NS5

PG-TSON-8-3

027N10N

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-11-26

12 3 4 5 6 7...11

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