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BSC028N06NSATMA1

更新时间： 2024-09-25 12:52:43
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10页 421K
描述
OptiMOS™ Power-Transistor

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BSC028N06NSATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：1.59雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.0028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC028N06NSATMA1 数据手册

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BSC028N06NS  
OptiMOSTM Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
60  
V
• Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.  
• 100% avalanche tested  
RDS(on),max  
ID  
2.8  
100  
43  
mW  
A
• Superior thermal resistance  
Qoss  
nC  
nC  
• N-channel  
QG(0..10V)  
37  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-TDSON-8  
Type  
Package  
Marking  
BSC028N06NS  
PG-TDSON-8  
028N06NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
100  
83  
A
V GS=10 V, T C=100 °C  
V GS=10 V, T C=25 °C,  
23  
2)  
R thJA =50K/W  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
400  
100  
±20  
Avalanche energy, single pulse4)  
Gate source voltage  
I D=50 A, R GS=25 W  
mJ  
V
V GS  
1) J-STD20 and JESD22  
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
3) See figure 3 for more detailed information  
4) See figure 13 for more detailed information  
Rev.2.1  
page 1  
2013-01-18  
1234567...10

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BSC028N06NSATMA1 替代型号

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