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BSC028N06NS

更新时间： 2024-09-25 12:50:55

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New OptiMOSâ¢ 40V and 60V

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BSC028N06NS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.59
Samacsys Description：	MOSFET N-Channel 60V 100A OptiMOS TDSON8 Infineon BSC028N06NS N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 8-Pin TDSON	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	23 A
最大漏源导通电阻：	0.0028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSC028N06NS 数据手册

Product Brief

Features

Optimized for Synchronous

Rectiﬁcation

New OptiMOS™ 40V and 60V

Shrink Your Design and Boost Eﬃciency

35% lower R_DS(on)than

alternative devices

45% improvement of FOM

over similar devices

New OptiMOS™ 40V and 60V, Inﬁneon’s latest generation of power MOSFETs,

is optimized for Synchronous Rectiﬁcation in switched mode power supplies

(SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices

are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor

control, solar micro inverter and fast switching DC/DC converter.

Integrated Schottky-like diode

RoHS compliant - halogen free

MSL1 rated

Beneﬁts

Highest system eﬃciency

New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R_DS(on)

but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 35%

lower R_DS(on)and 45% lower Figure of Merit (R_DS(on)x Q_g)compared to alternative

devices has been realized by advanced thin wafer technology.

Less paralleling required

Increased power density

System cost reduction

Very low voltage overshoot

The fast growing market of solar micro inverter requires ever higher

performance levels of components. In typical photovoltaic topologies both

R_DS(on)and switching characteristics are equally important. In a micro inverter

1.5% higher eﬃciency can be achieved at a 20% load condition by using

BSC016N06NS (1.6mΩ SuperSO8 (5mmx6mm) 60V device).

Applications

Synchronous Rectiﬁcation

Solar micro inverter

Isolated DC/DC converters

Motor control for 12-48V systems

Or-ing switches

40V SuperSO8

60V SuperSO8

Existing OptiMOS™ 40V

New Generation 40V

Existing OptiMOS™ 60V

New Generation 60V

-41%

-48%

40V

60V

www.inﬁneon.com/newoptimos

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC028N06NSATMA1	INFINEON	获取价格	OptiMOSâ¢ Power-Transistor
BSC028N06NSSC	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in SuperSO8 DSC
BSC028N06NST	INFINEON	获取价格	采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术
BSC028N06NSTATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC029N025S	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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