是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.59 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 298 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 100 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0028 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 139 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSC100N06LS3G | INFINEON |
完全替代 |
OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSC046N02KSG | INFINEON |
完全替代 |
OptiMOS™2 Power-Transistor | |
BSC026N02KSG | INFINEON |
完全替代 |
OptiMOS™2 Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC028N06LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSC028N06NS | INFINEON |
获取价格 |
New OptiMOS⢠40V and 60V | |
BSC028N06NSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS⢠Power-Transistor | |
BSC028N06NSSC | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in SuperSO8 DSC | |
BSC028N06NST | INFINEON |
获取价格 |
采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术 | |
BSC028N06NSTATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC029N025S | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
BSC029N025SG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
BSC029N025SG_09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor | |
BSC030N03LS G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成 |