是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.28 |
雪崩能效等级(Eas): | 22 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 50 A | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.01 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSC028N06LS3G | INFINEON |
完全替代 |
OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSC046N02KSG | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS™2 Power-Transistor | |
BSC026N02KSG | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS™2 Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
BSC100N06LS3GXT | INFINEON |
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暂无描述 | |
BSC100N10NSF G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSC100N10NSFG | INFINEON |
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OptiMOS?2 Power-Transistor | |
BSC105N10LSFG | INFINEON |
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OptiMOS?2 Power-Transistor | |
BSC105N10LSFGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC105N15LS5 | INFINEON |
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The OptiMOS? 5 Logic-Level power MOSFET 150 V family offers the same excellent performance | |
BSC-106-L-D-PE | SAMTEC |
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Board Connector, 12 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket, | |
BSC106N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
BSC106N025SG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |