BSC026N02KSG

更新时间： 2024-11-05 06:44:19

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描述
OptiMOS™2 Power-Transistor

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BSC026N02KSG 数据手册

BSC026N02KS G

OptiMOS™2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

2.6

100

• For fast switching converters and sync. rectification

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Super Logic level 2.5V rated; N-channel

PG-TDSON-8

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Superior thermal resistance

• Avalanche rated

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC026N02KS G

PG-TDSON-8

026N02KS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

_GS=4.5 V, T _C=25 °C

I _D

Continuous drain current

100

_GS=4.5 V, T _C=100 °C

_GS=2.5 V, T _C=25 °C

_GS=2.5 V, T _C=100 °C

100

_GS=4.5 V, T _A=25 °C,

_thJA=45 K/W²⁾

T _C=25 °C³⁾

I _D,pulse

E _AS

Pulsed drain current

200

550

I _D=50 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=16 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=150 °C

V _GS

Gate source voltage

¹⁾J-STD20 and JESD22

±12

Rev.1.06

page 1

2010-07-01

12 3 4 5 6 7...10

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