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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 1.67 | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0027 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC027N10NS5 | INFINEON |
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Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 packa |
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| BSC028N03LSCG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC028N03LSCGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC028N03MSCG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC028N03MSCGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC028N06LS3 G | INFINEON |
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OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| BSC028N06LS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC028N06LSG | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC028N06NS | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V |
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| BSC028N06NSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS⢠Power-Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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