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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 24 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0042 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC028N03MSCG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC028N03MSCGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC028N06LS3 G | INFINEON |
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OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| BSC028N06LS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC028N06LSG | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC028N06NS | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V |
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| BSC028N06NSATMA1 | INFINEON |
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OptiMOS⢠Power-Transistor |
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| BSC028N06NSSC | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in SuperSO8 DSC |
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| BSC028N06NST | INFINEON |
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采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术 |
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| BSC028N06NSTATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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