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BSC028N06NST

更新时间: 2024-11-06 14:56:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
13页 1373K
描述
采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术,封装的工作温度也随之改善。新型组合提高了功率密度以及坚固性。

BSC028N06NST 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:1.63峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BSC028N06NST 数据手册

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BSC028N06NST  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀPower-Transistor,ꢀ60ꢀV  
SuperSO8  
5
8
6
7
7
Features  
6
5
8
•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀrec.  
•ꢀ175ꢀ°Cꢀrated  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance  
4
3
•ꢀN-channel  
1
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
2
2
3
1
4
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
S 1  
8 D  
7 D  
Parameter  
Value  
Unit  
S 2  
S 3  
G 4  
VDS  
60  
V
6 D  
5 D  
RDS(on),max  
ID  
2.8  
137  
43  
m  
A
Qoss  
nC  
nC  
QG(0..10V)  
37  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
BSC028N06NST  
PG-TDSON-8  
028N06NT  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.4,ꢀꢀ2020-09-21  

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