5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BSC028N03MSCGATMA1
BSC028N03MSCGATMA1 PDF预览

BSC028N03MSCGATMA1

更新时间： 2024-11-13 21:15:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 293K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSC028N03MSCGATMA1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：75 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.0036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC028N03MSCGATMA1 数据手册

 浏览型号BSC028N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC028N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC028N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC028N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC028N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC028N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
BSC028N03MSC G  
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET  
Product Summary  
V DS  
30  
2.8  
3.6  
V
Features  
R DS(on),max  
V
V
GS=10 V  
GS=4.5 V  
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)  
• Low FOMSW for High Frequency SMPS  
mΩ  
• Improved switching behaviour  
• 100% avalanche tested  
I D  
100  
A
• N-channel  
PG-TDSON-8  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Superior thermal resistance  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC028N03MSC G  
PG-TDSON-8  
028N03MS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
100  
80  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
100  
71  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=4.5 V, T A=25 °C,  
21  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
400  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
75  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.2  
page 1  
2009-10-22  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与BSC028N03MSCGATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC028N06LS3 G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
BSC028N06LS3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor
BSC028N06LSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSC028N06NS INFINEON

获取价格

 		New OptiMOS™ 40V and 60V
BSC028N06NSATMA1 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™ Power-Transistor
BSC028N06NSSC INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in SuperSO8 DSC
BSC028N06NST INFINEON

获取价格

 		采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术
BSC028N06NSTATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC029N025S INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
BSC029N025SG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor

与BSC028N03MSCGATMA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证