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BSC520N15NS3G

更新时间: 2024-11-13 06:44:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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10页 414K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor

BSC520N15NS3G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:TDSON-8
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.68
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):60 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (ID):21 A
最大漏源导通电阻:0.052 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):57 W最大脉冲漏极电流 (IDM):84 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC520N15NS3G 数据手册

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BSC520N15NS3 G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
150  
52  
V
• Optimized for dc-dc conversion  
• N-channel, normal level  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
21  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
PG-TDSON-8  
• 150 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant;  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC520N15NS3 G  
PG-TDSON-8  
520N15NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
21  
14  
A
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
84  
I D=18 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
60  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
57  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
Rev. 2.2  
page 1  
2009-11-04  

BSC520N15NS3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSC059N04LSG INFINEON

完全替代

OptiMOS™3 Power-Transistor
BSC016N04LSG INFINEON

完全替代

OptiMOS™3 Power-Transistor

与BSC520N15NS3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC520N15NS3GATMA1 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC520N15NS3GXT INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BS-C521RD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C522RD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C523RD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C524RD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C525RD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C525RE ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C526RD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS
BS-C52DRD ETC

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SINGLE DIGIT LED DISPLAYS