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BSZ340N08NS3GATMA1

更新时间： 2024-11-05 14:49:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	636K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ340N08NS3GATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	1.66	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.034 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	32 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSZ340N08NS3GATMA1 数据手册

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BSZ340N08NS3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

• Ideal for high frequency switching

• Optimized technology for DC/DC converters

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

R_DS(on),max

I_D

• N-channel, normal level

• 100% avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

BSZ340N08NS3 G

Package

Marking

PG-TSDSON-8

340N08N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

V _GS=10 V, T _C=25 °C

V _GS=10 V, T _C=100 °C

Continuous drain current

V _GS=10 V, T _A=25 °C,

R _thJA=60 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

Avalanche energy, single pulse⁴⁾

Gate source voltage

I _D=12 A, R _GS=25 W

V _GS

±20

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

³⁾See figure 3 for more detailed information

⁴⁾See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.3

page 1

2013-02-06

12 3 4 5 6 7...9

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BSZ440N10NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor
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