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BSZ42DN25NS3G

更新时间： 2024-11-05 09:00:39

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英飞凌 - INFINEON		/
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9页	666K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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BSZ42DN25NS3G 数据手册

Type

BSZ42DN25NS3 G

$(*'#$%^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

250

425

9 ꢀ /2*, *7&% '.0 % $ ꢁ% $ $ .- 4&01*.-

9 ꢂ ꢁ$ )" - - &+ꢃ - .0, " + +&4&+

R_DS(on),max

I_D

9 ꢄ 6$ &++&- 2 (" 2& $ )" 0(& 6 R _DS(on)product (FOM)

9 ꢅ .5 .- ꢁ0&1*12" - $ & R _DS(on)

PG-TSDSON-8

9 ꢆ ꢇ ꢈ 8ꢉ ./&0" 2*- ( 2&, /&0" 230&

9 ꢊ # ꢁ'0&& +&" % /+" 2*- (ꢋ ꢌ .ꢍ $ ., /+*" - 2

9 ꢎ 3" +*'*&% " $ $ .0% *- ( 2. ꢏ ꢄ ꢐ ꢄ ꢉ ¹⁾for target application

9 ꢍ " +.(&- ꢁ'0&& " $ $ .0% *- ( 2. ꢑꢄ ꢉ ꢒ ꢆ ꢓ ꢔ ꢕ ꢁꢓ ꢁꢓ ꢆ

Type

Package

Marking

BSZ42DN25NS3 G

PG-TSDSON-8

42DN20N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

3.5

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=2.5 A, R _GS=25 #

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

33.8

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

Rev. 2.1

page 1

2010-09-01

12 3 4 5 6 7...9

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