型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ340N08NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
BSZ42DN25NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,完全适合在 48V 系统、直 | |
BSZ42DN25NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ440N10NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSZ440N10NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
BSZ440N10NS3GXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
BSZ520N15NS3 G | INFINEON |
获取价格 |
与次优竞品相比,150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F | |
BSZ520N15NS3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |