型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ42DN25NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ440N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSZ440N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
BSZ440N10NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
BSZ520N15NS3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比,150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F | |
BSZ520N15NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ520N15NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSZ900N15NS3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F | |
BSZ900N15NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |