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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.67 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 17 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.044 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ440N10NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSZ520N15NS3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| BSZ520N15NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSZ520N15NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ900N15NS3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| BSZ900N15NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSZ900N15NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSZ900N20NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
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| BSZ900N20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSZ900N20NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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