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BSZ22DN20NS3G

更新时间: 2024-11-05 09:00:39
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 674K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

BSZ22DN20NS3G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:GREEN, PLASTIC, TSDSON-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.18
雪崩能效等级(Eas):30 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):7 A最大漏极电流 (ID):7 A
最大漏源导通电阻:0.225 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-PDSO-N5湿度敏感等级:3
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):34 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSZ22DN20NS3G 数据手册

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BSZ22DN20NS3 G  
$(*'#$%TM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
200  
225  
7
V
9  /2*, *7&% '.0 % $ ꢁ% $ $ .- 4&01*.-  
9  ꢁ$ )" - - &+ꢃ - .0, " + +&4&+  
RDS(on),max  
ID  
m#  
A
9  6$ &++&- 2 (" 2& $ )" 0(& 6 R DS(on) product (FOM)  
9  .5 .- ꢁ0&1*12" - $ & R DS(on)  
PG-TSDSON-8  
9    8ꢉ ./&0" 2*- ( 2&, /&0" 230&  
9  # ꢁ'0&& +&" % /+" 2*- (ꢋ  .ꢍ   $ ., /+*" - 2  
9  3" +*'*&% " $ $ .0% *- ( 2.      1) for target application  
9  " +.(&- ꢁ'0&& " $ $ .0% *- ( 2. ꢑꢄ       ꢁꢓ ꢁꢓ   
Type  
Package  
Marking  
BSZ22DN20NS3 G  
PG-TSDSON-8  
22DN20N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
7.0  
4.9  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
28  
I D=3.5 A, R GS=25 #  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
30  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
34  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
Rev. 2.1  
page 1  
2010-09-01  

BSZ22DN20NS3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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