型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ22DN20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ22DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
BSZ240N12NS3 G | INFINEON |
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120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实 | |
BSZ240N12NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM 3 Power-Transistor | |
BSZ240N12NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 120V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSZ300N15NS5 | INFINEON |
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The 150V OptiMOS? achieves a reduction in R?DS(on)?of 40% and of 45% in figure of merit (F | |
BSZ340N08NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
BSZ340N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
BSZ42DN25NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,完全适合在 48V 系统、直 |