5秒后页面跳转
BSZ22DN20NS3 G PDF预览

BSZ22DN20NS3 G

更新时间: 2024-11-06 14:53:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 电机驱动转换器
页数 文件大小 规格书
9页 568K
描述
英飞凌 200V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流-直流转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动逆变器中用于异步整流。

BSZ22DN20NS3 G 数据手册

 浏览型号BSZ22DN20NS3 G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSZ22DN20NS3 G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSZ22DN20NS3 G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSZ22DN20NS3 G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSZ22DN20NS3 G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSZ22DN20NS3 G的Datasheet PDF文件第7页 
BSZ22DN20NS3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
200  
225  
7
V
• Optimized for dc-dc conversion  
• N-channel, normal level  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Low on-resistance R DS(on)  
PG-TSDSON-8  
• 150 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSZ22DN20NS3 G  
PG-TSDSON-8  
22DN20N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
7.0  
4.9  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
28  
I D=3.5 A, R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
Reverse diode dv /dt  
30  
mJ  
kV/µs  
V
dv /dt  
V GS  
10  
Gate source voltage  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
34  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
Rev. 2.2  
page 1  
2011-07-14  

与BSZ22DN20NS3 G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ22DN20NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOSTM3 Power-Transistor
BSZ22DN20NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSZ240N12NS3 G INFINEON

获取价格

120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实
BSZ240N12NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOSTM 3 Power-Transistor
BSZ240N12NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 120V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSZ300N15NS5 INFINEON

获取价格

The 150V OptiMOS? achieves a reduction in R?DS(on)?of 40% and of 45% in figure of merit (F
BSZ340N08NS3 G INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源
BSZ340N08NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor
BSZ340N08NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 80V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSZ42DN25NS3 G INFINEON

获取价格

英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,完全适合在 48V 系统、直