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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSZ180P03NS3EG
BSZ180P03NS3EG PDF预览

BSZ180P03NS3EG

更新时间： 2024-11-05 06:44:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 300K
描述
OptiMOS P3 Power-Transistor

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BSZ180P03NS3EG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.66Is Samacsys：N
其他特性：ESD PROTECTED雪崩能效等级（Eas）：48 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：39.6 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-F5
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：158 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSZ180P03NS3EG 数据手册

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BSZ180P03NS3E G  
OptiMOSTM P3 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
-30  
18  
V
Features  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• single P-Channel in S3O8  
• Qualified according JEDEC1) for target applications  
-39.6  
PG-TSDSON-8  
• 150 °C operating temperature  
• V GS=25 V, specially suited for notebook applications  
• Pb-free; RoHS compliant  
• ESD protected  
• applications: battery management, load switching  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Marking  
Lead free  
Halogen free  
Type  
Package  
Packing  
non-dry  
Yes  
180P3NE  
Yes  
BSZ180P03NS3E G PG-TSDSON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=70 °C  
39.6  
32.0  
-9.0  
-158  
48  
Continuous drain current  
A
T A=25 °C2)  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
I D=-20 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
P tot  
±25  
40  
T A=25 °C  
Power dissipation  
W
T A=25 °C2)  
2.1  
T j, T stg  
-55 … 150  
class 2 (> 2 kV)  
260  
Operating and storage temperature  
ESD class  
°C  
°C  
JESD22-A114 HBM  
Soldering temperature  
55/150/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.1  
page 1  
2009-11-16  
1234567...9

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与BSZ180P03NS3EG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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