型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ180P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor | |
BSZ180P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
BSZ180P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM P3 Power-Transistor | |
BSZ180P03NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
BSZ215C H | INFINEON |
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互补式功率 MOSFET - 在同一封装内的 n 通道和 p 通道功率 MOSFET - | |
BSZ22DN20NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS? 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
BSZ22DN20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ22DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
BSZ240N12NS3 G | INFINEON |
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120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能,适用于各种应用,支持实 | |
BSZ240N12NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM 3 Power-Transistor |