AO7401

更新时间： 2024-09-12 22:05:43

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美国万代 - AOS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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6页	229K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO7401 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	7.9	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	1.4 A
最大漏源导通电阻：	0.115 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AO7401 数据手册

Nov 2002

AO7401

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO7401 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), low gate charge, and

operation with gate voltages as low as 2.5V, in the

small SOT323 footprint. It can be used for a wide

variety of applications, including load switching, low

current inverters and low current DC-DC converters.

V_DS(V) = -30V

I_D= -1.2A

_DS(ON)< 150mΩ (V_GS= -10V)

_DS(ON)< 200mΩ (V_GS= -4.5V)

_DS(ON)< 280mΩ (V_GS= -2.5V)

SC-70

(SOT-323)

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

-30

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

±12

-1.2

-1.0

T_A=25°C

T_A=70°C

I_D

I_DM

Pulsed Drain Current ^B

-10

T_A=25°C

T_A=70°C

0.35

0.22

P_D

Power Dissipation ^A

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

300

350

280

Max

360

425

320

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

t ≤ 10s

Steady-State

R_θJA

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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