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XP152A12C0MR

更新时间： 2024-09-18 22:28:07
品牌 Logo 应用领域
特瑞仕 - TOREX 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 149K
描述
POWER MOS FET

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XP152A12C0MR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.55
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：1工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

XP152A12C0MR 数据手册

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11S_36XP152A12C0MR 02.9.12 4:12 PM ページ 830  
Power MOS FET  
NP-Channel Power MOS FET  
NDMOS Structure  
■Applications  
GNotebook PCs  
NLow On-State Resistance : 0.3Ω (max)  
NUltra High-Speed Switching  
NGate Protect Diode Built-in  
NSOT-23 Package  
GCellular and portable phones  
GOn-board power supplies  
GLi-ion battery systems  
■General Description  
■Features  
The XP152A12C0MR is a P-Channel Power MOS FET with low on-  
state resistance and ultra high-speed switching characteristics.  
Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set  
thereby saving energy.  
Low on-state resistance : Rds (on) = 0.3Ω ( Vgs = -4.5V )  
: Rds (on) = 0.5Ω ( Vgs = -2.5V )  
Ultra high-speed switching  
Gate Protect Diode Built-in  
In order to counter static, a gate protect diode is built-in.  
The small SOT-23 package makes high density mounting possible.  
Operational Voltage  
: -2.5V  
High density mounting : SOT-23  
■Pin Configuration  
■Pin Assignment  
Ｄ�  
３�  
PIN NUMBER  
PIN NAME  
FUNCTION  
Ｇ�  
Ｓ�  
Ｄ�  
1
2
3
Gate  
Source  
Drain  
２�  
Ｓ�  
1
Ｇ�  
SOT-23�  
（TOP VIEW）�  
■Equivalent Circuit  
■Absolute Maximum Ratings  
11  
O
Ta=25 C  
UNITS  
３�  
SYMBOL  
RATINGS  
-20  
PARAMETER  
Drain - Source Voltage  
Gate - Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Vdss  
Vgss  
Id  
V
V
A
+
12  
-0.7  
-2.8  
-0.7  
0.5  
Drain Current (Pulse)  
Reverse Drain Current  
Continuous Channel  
Idp  
Idr  
Pd  
A
A
２�  
1
W
Power Dissipation (note)  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
O
C
Tch  
150  
O
P-Channel MOS FET�  
( 1 device built-in )  
C
Tstg  
-55 ~ 150  
( note ) : When implemented on a ceramic PCB  
830  
1234

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XP152A12C0MR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
XP152A12C0MR-G TOREX

完全替代

 Power MOSFET

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