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XP1554

更新时间： 2024-09-18 22:34:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP1554 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-88A包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：450 MHz最大关闭时间（toff）：17 ns
最大开启时间（吨）：17 nsBase Number Matches：1

XP1554 数据手册

 浏览型号XP1554的Datasheet PDF文件第2页 
Composite Transistors  
XP1554  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For high speed switching  
2.1±0.1  
1.25±0.1  
0.425  
0.425  
Features  
■
5
1
●
Two elements incorporated into one package.  
(Emitter-coupled transistors)  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
2
3
4
●
●
Low VCE(sat)  
.
Basic Part Number of Element  
2SC3757 × 2 elements  
■
●
0.2±0.1  
1 : Base (Tr1)  
2 : Emitter  
3 : Base (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Collector (Tr1)  
EIAJ : SC–88A  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
S–Mini Type Package (5–pin)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Peak collector current  
Total power dissipation  
40  
Marking Symbol: EU  
Internal Connection  
40  
5
V
Rating  
of  
element  
V
100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
Tr1  
1
5
4
ICP  
300  
PT  
150  
2
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
3
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Conditions  
min  
typ  
max  
0.1  
Unit  
µA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 15V, IE = 0  
VEB = 4V, IC = 0  
0.1  
µA  
Forward current transfer ratio  
VCE = 1V, IC = 10mA  
60  
200  
0.25  
1.0  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 10mA, IB = 1mA  
0.17  
V
V
IC = 10mA, IB = 1mA  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
fT  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
450  
2
MHz  
pF  
ns  
Cob  
ton  
toff  
tstg  
6
17  
17  
10  
Turn-off time  
ns  
Storage time  
ns  
1
12

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