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STW5NB90

更新时间： 2024-11-27 22:14:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 87K
描述
N - CHANNEL 900V - 2.3ohm - 5.6A - TO-247 PowerMESH MOSFET

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STW5NB90 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AC包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.41Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：284 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.6 A
最大漏极电流 (ID)：5.6 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW5NB90 数据手册

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STW5NB90  
N - CHANNEL 900V - 2.3Ω - 5.6A - TO-247  
PowerMESH MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW5NB90  
900 V  
< 2.5 Ω  
5.6 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 2.3 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
DESCRIPTION  
2
1
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
TO-247  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SWITCH MODE POWER SUPPLIES(SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENTAND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
■
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
900  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
V
V
900  
)
Ω
± 30  
5.6  
V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
3.3  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
22.4  
160  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
Derating Factor  
1.28  
4
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( 1) ISD ≤ 5A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/8  
March 1999  
12345678

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STW5NB90 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RFP15N05L FAIRCHILD

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SPW47N60C3 INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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STW60N10 STMICROELECTRONICS

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STW60N65M5 STMICROELECTRONICS

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STW60NE10 STMICROELECTRONICS

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STW62N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，T
STW65N65DM2AG STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道650 V、42 mOhm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFE

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