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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | TO-247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 720 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STW60N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.049 ohm, 46 A MDmesh V Power MOSFET |
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| STW60NE10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET |
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| STW62N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packa |
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| STW63N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.042 Ohm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STW65N023M9-4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package |
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| STW65N045M9-4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package |
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| STW65N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，T |
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| STW65N65DM2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道650 V、42 mOhm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFE |
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| STW65N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.07 Ohm典型值、46 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STW68N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、35 mOhm典型值、63 A MDmesh M6功率MOSFET，TO |
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