5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > STW60N10
STW60N10 PDF预览

STW60N10

更新时间： 2024-01-13 09:24:32
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 248K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

STW60N10 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：TO-247, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：720 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW60N10 数据手册

 浏览型号STW60N10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STW60N10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STW60N10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STW60N10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STW60N10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STW60N10的Datasheet PDF文件第7页 
STH60N10/FI  
STW60N10  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STH60N10  
STH60N10FI  
STW60N10  
100 V  
100 V  
100 V  
< 0.025 Ω  
< 0.025 Ω  
< 0.025 Ω  
60 A  
36 A  
60 A  
TO-247  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.02 Ω  
3
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
2
1
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
VERY HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
2
1
1
TO-218  
ISOWATT218  
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STH/STW60N10  
Unit  
STH60N10FI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
100  
100  
± 20  
V
V
V
60  
42  
36  
22  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
240  
200  
1.33  
240  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
70  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.56  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
4000  
-65 to 150  
150  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/11  
May 1993  
1234567...11

下载PDF

与STW60N10相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
STW60N65M5 STMICROELECTRONICS N-channel 650 V, 0.049 ohm, 46 A MDmesh V Power MOSFET

获取价格
STW60NE10 STMICROELECTRONICS N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET

获取价格
STW62N65M5 STMICROELECTRONICS Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh V Power MOSFET in a TO-247 packa

获取价格
STW63N65DM2 STMICROELECTRONICS N沟道650 V、0.042 Ohm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET

获取价格
STW65N023M9-4 STMICROELECTRONICS N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package

获取价格
STW65N045M9-4 STMICROELECTRONICS N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package

获取价格

与STW60N10相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证