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STB85NF3LL

更新时间： 2024-09-12 22:31:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
9页 431K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.006ohm - 85A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩II POWER MOSFET

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STB85NF3LL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：85 A
最大漏极电流 (ID)：85 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：340 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB85NF3LL 数据手册

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STB85NF3LL  
2
N-CHANNEL 30V - 0.006Ω - 85A D PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STB85NF3LL  
30 V  
< 0.008 Ω  
85 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0075Ω (@4.5V)  
DS  
OPTIMAL R (on) x Qg TRADE-OFF @4.5V  
DS  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
3
1
2
D PAK  
DESCRIPTION  
This application specific Power MOSFET is the third  
genaration of STMicroelectronics unique “ Single  
Feature Size” strip-based process. The resulting  
transistor shows the best trade-off between on-re-  
sistance and gate charge. When used as high and  
low side in buck regulators, it gives the best perfor-  
mance in terms of both conduction and switching  
losses. This is extremely important for mother-  
boards where fast switching and high efficiency are  
of paramount importance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC  
CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 16  
± 20  
V
GSM  
Gate-source Voltage Pulsed  
(t ≤50µs; duty cycle 25%; T ≤ 150°C)  
p
j
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
85  
60  
A
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
340  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
110  
W
C
Derating Factor  
0.73  
W/°C  
°C  
°C  
T
stg  
Storage Temperature  
–65 to 175  
175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
November 2001  
1/9  
1234567...9

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STB85NF3LL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SUM85N03-06P-E3 VISHAY

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STB85NF55T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB85NS04Z STMICROELECTRONICS

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 		60A, 33V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, I2PAK, 3 PIN

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