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SIZ702DT-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 09:25:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
12页 158K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

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SIZ702DT-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.87雪崩能效等级（Eas）：16 mJ
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：45 ns最大开启时间（吨）：35 ns

SIZ702DT-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiZ702DT  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A) Qg (Typ.)  
Definition  
16a  
TrenchFET® Power MOSFETs  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
Channel-1  
and  
Channel-2  
0.012 at VGS = 10 V  
0.0145 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
30  
6.8 nC  
16a  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
V /D  
IN 1  
APPLICATIONS  
•
•
•
Notebook System Power  
POL  
PowerPAIR™ 6 x 3.7  
3.73 mm  
Low Current dc-to-dc  
G1  
2
GHS  
2
Pin 1  
G
/G  
HS 1  
1
1
VIN  
D1  
3
D1  
VIN  
N-Channel 1  
MOSFET  
D1  
VIN  
V
/S /D  
1 2  
3
SW  
S1/D2  
S2  
G2  
VSW  
GLS  
GND  
S2  
6
6
G
/G  
6.00 mm  
LS  
2
GND  
5
5
N-Channel 2  
MOSFET  
4
4
GND/S  
Ordering Information: SiZ702DT-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
Channel-2  
Unit  
VDS  
30  
20  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
16a  
16a  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
13.8b, c  
11b, c  
14b, c  
11.2b, c  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
50  
16a  
3.2b, c  
16a  
3.7b, c  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Source Drain Current Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
18  
16  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
27  
30  
17.4  
19  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
3.9b, c  
2.5b, c  
4.5b, c  
2.9b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Typ. Max.  
24 32  
3.5 4.6  
Channel-2  
Typ. Max.  
21 28  
3.2 4.2  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Unit  
t ≤ 10 s  
°C/W  
RthJC  
Steady State  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAIR is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required  
to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 67 °C/W for Channel-1 and for Channel-2.  
Document Number: 65525  
S09-2266-Rev. A, 02-Nov-09  
www.vishay.com  
1
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