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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIZ790DT-T1-GE3
SIZ790DT-T1-GE3 PDF预览

SIZ790DT-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 09:25:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 209K
描述
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs with Schottky Diode

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SIZ790DT-T1-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：8.41
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：13 mJ
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.0093 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIZ790DT-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiZ790DT  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A) Qg (Typ.)  
16a  
16a  
SkyFET® Monolithic TrenchFET®  
Power MOSFETs and Schottky Diode  
100 % Rg Tested  
0.0093 at VGS = 10 V  
0.0130 at VGS = 4.5 V  
0.0047 at VGS = 10 V  
0.0059 at VGS = 4.5 V  
•
Channel-1  
Channel-2  
30  
7.7 nC  
•
•
35a  
35a  
100 % UIS Tested  
30  
17 nC  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
V
/D  
IN 1  
APPLICATIONS  
PowerPAIR® 6 x 3.7  
•
System Power  
- Notebook  
- Server  
G
G
/
HS  
G1  
2
3.73 mm  
D1  
Pin 1  
GHS  
1
1
D1  
3
•
•
POL  
1
VIN  
2
VIN  
N-Channel 1  
MOSFET  
VIN  
Synchronous Buck  
Converter  
V
S /D  
/
SW  
D1  
3
1
2
S1/D2  
S2  
G2  
Schottky  
Diode  
VSW  
G
G
/
GLS  
GND  
LS  
S2  
6
6.00 mm  
2
6
5
GND  
N-Channel 2  
MOSFET  
5
4
4
Ordering Information: SiZ790DT-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
GND/S  
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
Channel-2  
Unit  
VDS  
30  
20  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
16a  
16a  
12.9b, c  
10.3b, c  
70  
16a  
3.2b, c  
35a  
35a  
23.4b, c  
18.7b, c  
100  
35a  
3.8b, c  
30  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
16  
L = 0.1 mH  
EAS  
13  
45  
mJ  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
27  
48  
17  
31  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
3.9b, c  
2.5b, c  
4.6b, c  
3b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Typ. Max.  
Channel-2  
Typ. Max.  
27  
2.6  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
24  
32  
20  
2
°C/W  
RthJC  
3.5  
4.6  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAIR is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required  
to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 67 °C/W for channel-1 and 65 °C/W for channel-2.  
Document Number: 67669  
S11-0607-Rev. A, 04-Apr-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...14

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