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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIZ704DT-T1-GE3
SIZ704DT-T1-GE3 PDF预览

SIZ704DT-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 09:25:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 160K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

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SIZ704DT-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.8Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：5 mJ配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：9.4 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIZ704DT-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiZ704DT  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A) Qg (Typ.)  
Definition  
12a  
12a  
TrenchFET® Power MOSFETs  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.024 at VGS = 10 V  
0.030 at VGS = 4.5 V  
0.0135 at VGS = 10 V  
0.017 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
Channel-1  
Channel-2  
30  
3.8 nC  
16a  
16a  
30  
7.3 nC  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
V
/D  
IN 1  
APPLICATIONS  
•
•
Notebook System Power  
POL  
PowerPAIR™ 6 x 3.7  
3.73 mm  
•
Low Current DC/DC  
G1  
2
GHS  
2
Pin 1  
G /G  
HS 1  
1
1
VIN  
D1  
3
D1  
VIN  
N-Channel 1  
MOSFET  
D1  
VIN  
V
/S /D  
1 2  
3
SW  
S1/D2  
S2  
G2  
VSW  
GLS  
GND  
S2  
6
6
G
/G  
2
6.00 mm  
LS  
GND  
5
5
N-Channel 2  
MOSFET  
4
4
GND/S  
Ordering Information: SiZ704DT-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
Channel-2  
Unit  
VDS  
30  
30  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
12a  
12a  
9.4b, c  
7.5b, c  
30  
12a  
3.1b, c  
16a  
16a  
14b, c  
11.2b, c  
40  
16a  
3.7b, c  
15  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Source Drain Current Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
10  
L = 0.1 mH  
EAS  
5
11  
mJ  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
20  
30  
12.9  
19  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
3.7b, c  
2.4b, c  
4.5b, c  
2.9b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Typ. Max.  
26 34  
4.7 6.2  
Channel-2  
Typ. Max.  
21 28  
3.2 4.2  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Unit  
t ≤ 10 s  
°C/W  
RthJC  
Steady State  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAIR is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required  
to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 72 °C/W for Channel-1 and 67 °C/W for Channel-2.  
Document Number: 65367  
S09-1921-Rev. A, 28-Sep-09  
www.vishay.com  
1
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