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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIZ710DT-T1-GE3
SIZ710DT-T1-GE3 PDF预览

SIZ710DT-T1-GE3

更新时间： 2024-11-15 09:25:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 175K
描述
N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs

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SIZ710DT-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.53Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.0068 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-N6JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIZ710DT-T1-GE3 数据手册

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New Product  
SiZ710DT  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A) Qg (Typ.)  
Definition  
16a  
16a  
TrenchFET® Power MOSFETs  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.0068 at VGS = 10 V  
0.009 at VGS = 4.5 V  
0.0033 at VGS = 10 V  
0.0043 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
Channel-1  
Channel-2  
20  
6.9 nC  
35a  
35a  
20  
18.2 nC  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
V /D  
IN 1  
APPLICATIONS  
PowerPAIR® 6 x 3.7  
3.73 mm  
•
•
Notebook System Power  
POL  
•
Synchronous Buck Converter  
G1  
2
GHS  
2
Pin 1  
G
/G  
HS  
1
1
VIN  
1
D1  
3
D1  
VIN  
N-Channel 1  
MOSFET  
D1  
VIN  
3
V
/S /D  
SW 1 2  
S1/D2  
S2  
G2  
VSW  
GLS  
GND  
S2  
6
6
G /G  
LS  
6.00 mm  
2
GND  
5
5
N-Channel 2  
MOSFET  
4
4
Ordering Information: SiZ710DT-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
GND/S  
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
Channel-2  
Unit  
VDS  
20  
20  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
16a  
16a  
16a, b, c  
15b, c  
70  
16a  
3.2b, c  
35a  
T
C = 25 °C  
35a  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
30b, c  
24b, c  
100  
35a  
3.8b, c  
30  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source Drain Diode Current  
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
20  
L = 0.1 mH  
EAS  
20  
45  
mJ  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
27  
48  
17  
31  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
3.9b, c  
2.5b, c  
4.6b, c  
3b, c  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Typ. Max.  
24 32  
3.5 4.6  
Channel-2  
Typ.  
20  
Max.  
27  
2.6  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Unit  
t 10 s  
°C/W  
RthJC  
Steady State  
2
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAIR is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required  
to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 67 °C/W for channel-1 and 65 °C/W for channel-2.  
Document Number: 65733  
S10-2248-Rev. A, 04-Oct-10  
www.vishay.com  
1
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