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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7949DP-T1-E3
SI7949DP-T1-E3 PDF预览

SI7949DP-T1-E3

更新时间： 2024-09-16 12:01:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
Dual P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI7949DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：0.78
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：24.2 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：0.064 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-C6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7949DP-T1-E3 数据手册

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Si7949DP  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 5  
Qg (Typ.)  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
0.064 at VGS = - 10 V  
0.080 at VGS = - 4.5 V  
•
•
- 60  
26  
- 4.5  
PowerPAK SO-8  
S1  
S
1
S
2
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
2
S2  
3
G2  
4
G
G
2
1
D1  
8
D1  
7
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7949DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7949DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
D
D
2
1
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
- 60  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
- 5  
- 4  
- 3.2  
- 2.6  
- 25  
- 1.2  
22  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
IDM  
IS  
IAS  
EAS  
A
- 2.9  
L = 0.1 mH  
Single Pulse Avalanche Energy  
24.2  
1.5  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.5  
2.2  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
0.94  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
27  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
36  
85  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
60  
°C/W  
RthJC  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
3.3  
4.3  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 73130  
S09-0223-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI7949DP-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7949DP-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 MOSFET P-CH D-S 60V 8-SOIC

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7949DP-T1-GE3 VISHAY

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