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SI7971DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-28 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 85K
描述
TRANSISTOR 7.5 A, 12 V, 0.018 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7971DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7971DP-T1-E3 数据手册

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Si7971DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
– 11.7  
– 10.6  
– 3.5  
Pb-free  
•
New Low Thermal Resistance  
PowerPAK® Package with  
Low 1.07-mm Profile  
Available  
0.018 at VGS = – 4.5 V  
0.022 at VGS = – 2.5 V  
0.029 at VGS = – 1.8 V  
RoHS*  
– 12  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
Load Switch  
•
PowerPAK SO-8  
S1  
5.15 mm  
6.15 mm  
1
G1  
2
S2  
S
1
S
2
3
G2  
4
D1  
8
G
G
2
D1  
1
7
D2  
6
D2  
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7971DP-T1  
Si7971DP-T1—E3 (Lead (Pb)-free)  
D
D
2
1
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
– 12  
8
V
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
– 11.7  
– 9.4  
– 7.5  
– 6.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
– 30  
– 2.9  
3.5  
– 1.2  
1.4  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
2.2  
0.9  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
TJ, Tstg  
– 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 sec  
Steady State  
Steady State  
26  
60  
3
35  
85  
Maximum Junction-to-Ambienta  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
3.7  
Notes  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is  
not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72357  
S-52555-Rev. B, 19-Dec-05  
www.vishay.com  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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